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直径3纳米:非半导体资料晶体管
时间:2017-12-01 21:08:52 责任编辑:广州天球实业有限公司 浏览:148次
 

美国科学家近来初次利用纳米标准的绝缘体氮化硼以及金量子点,皇冠赌场开户,皇冠赌场官网,皇冠国际线上文娱城完成量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该效果有望开启新的电子设备时代。

几十年来,电子设备变得越来越小,科学家现已能将数百万个半导体集成在单个硅芯片上。该研讨的领导者、密歇根理工大学的物理学家叶跃进表示:“以现在的技术开展局势看,10年到20年间,这种晶体管不可能变得更小。半导体还有另一个先天不足,即会以热的方式糟蹋很多动力。”科学家测验运用不同资料和半导体规划方法来处理上述问题,但都与硅等半导体有关。

2007年,叶跃进开端另辟蹊径,制造没有半导体的晶体管。随后,他们运用激光,将直径为3纳米宽的金量子点(QDs)置于氮化硼碳纳米管顶端,形成了量子点—氮化硼碳纳米管(QDs-BNNTs)。关于金量子点来说,氮化硼碳纳米管是完美的基座,其尺度小、可控而且直径一致,一起还绝缘,也能对其上的量子点巨细进行约束。

叶跃进团队利用这一设备制造出了一种晶体管,当施加足够的电压时,其会打开到导电状况;当电压低或封闭时,它会恢复到其天然的绝缘体状况。而且,这一设备没有“漏网之鱼”:没有来自金量子点的电子逃进绝缘的氮化硼碳纳米管内,因而,地道会一向坚持冷的状况。而硅常遇到走漏,使电子设备中的很多能量以热的方式被糟蹋掉。

点评:美国科学家制造出了没有半导体的晶体管,而且直径仅3纳米,这彻底推翻了人们关于以往以硅作为根底资料的晶体管的概念,表明了根底科学研讨在资料学上的最新进展。硅芯片主导了几十年来电子信息技术的开展进程,但现在持续在硅上做文章可能已经面对技术上的“天花板”,且难以处理能量糟蹋的问题。新的纳米技术晶体管的呈现,的确有望给电子信息技术带来突破性的腾跃。

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